格芯收购瑞萨非易失性电阻式RAM技术,加强存储器产品组合

时间:2023-02-13来源:全球半导体观察

当地时间2月9日,晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布,已收购瑞萨电子(Renesas)的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器(CBRAM)技术,这是一种低功耗的存储器解决方案,旨在实现家庭、工业物联网及智能移动设备的一系列应用。

格芯表示,这项交易进一步加强了格芯的存储器产品组合,并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案,扩展了其嵌入式非易失性存储器(NVM)解决方案的路线图。这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计,并推动新一代安全和智能设备的发展。

据介绍,CBRAM具有低功耗、高读/写速度、制造成本降低以及对恶劣环境的耐受性的特点,适用于消费、医疗和部分工业应用。

2020年,格芯与Dialog半导体公司(该公司于2021年被瑞萨公司收购)达成了一项许可协议,将其CBRAM技术作为一种嵌入式、非虚拟的选择。目前,CBRAM正在该公司的22FDX平台上进行鉴定,并计划将其扩展到其他平台。

关键词: 格芯 瑞萨 易失性电阻式 RAM 存储器

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