独立存储器
简介
FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。
富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的 FRAM产品阵列 ，如果您想获得样品 ，请填写“FRAM样品/文档申请咨询表”申请样品和/或文件。
FRAM的优势
与SRAM相比
独立的FRAM存储器，因为具有Pseudo-SRAM I/F，因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以获得的优势如下：
1. 总的成要缩减
采用SRAM，你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且，FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间，而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。
● 维护自由；无需更换电池
● 缩小的器件尺寸；可以省去大量的器件
2.环保型产品（减少了环境负担）
用过的电池成为工业废料。在生产过程中，与SRAM相比，FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。
● 无废弃电池
● 降低工业负荷，实现环保
与E2PROM/闪存相比
与传统的非易失性存储器，如E2PROM和闪存相比，FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势，具体如下：
1. 性能提升
FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此，与E2PROM和闪存相比，FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时，E2PROM和闪存需要高压，因此，消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
总之，FRAM具有下列优势：
● 能够在电源中断的瞬间备份数据
● 能够进行频繁的数据记录
● 能够保证更长的电池寿命
2. 总的成本缩减
在为每个产品写入出厂参数时，与E2PROM 和闪存相比，FRAM可以缩减写入时间。而且，FRAM可以为您提供一种芯片解决方案，避免采用几个存储器来保存数据，而E2PROM却不能实现。因此，利用FRAM可以降低总成本！
● 当写入出厂参数时，缩短了写入时间
● 减掉了产品上很多的部件
产品列表
串行闪存
I2C接口
与世界标准，I2C BUS完全兼容。利用两个端口，几个时钟（SCL）和串行数据（SDA）控制每个函数。
产口型号 | 存储器 密度 | 电源电压 | 工作频率 （最大值） | 工作温度 | 读取/写入周期 | 封装 |
| MB85RC1MT ENG(1.40 MB ) CHN(2.11 MB ) | 1Mbit | 1.8 to 3.6V | 3.4MHz | -40 to +85℃ | 10¹³ (10 trillion) times | SOP-8 |
MB85RC512T ENG(1.17 MB ) | 512Kbit | |||||
| MB85RC256V ENG(1.92 MB ) CHN(2.12 MB ) | 256Kbit | 2.7 to 5.5V | 1MHz | 10¹² (1 trillion) times | ||
| MB85RC128A ENG(1.25 MB ) CHN(2.05 MB ) | 128Kbit | 2.7 to 3.6V | ||||
| MB85RC64TA ENG(1.67 MB ) | 64Kbit | 1.8 to 3.6V | 1013 (10 trillion) times | |||
| MB85RC64A ENG(1.26 MB ) CHN(2.05 MB ) | 2.7 to 3.6V | 10¹² (1 trillion) times | ||||
| MB85RC64V ENG(1.30 MB ) CHN(2.10 MB ) | 3.0 to 5.5V | |||||
| MB85RC16 ENG(1.30 MB ) CHN(2.10 MB ) | 16Kbit | 2.7 to 3.6V | ||||
| MB85RC16V ENG(1.41 MB ) CHN(2.00 MB ) | 3.0 to 5.5V | |||||
| MB85RC04V ENG(1.28 MB ) CHN(1.96 MB ) | 4Kbit |
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