电子产品世界

6月28日，为期3天的PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会）在上海世博展览馆圆满落下帷幕。本届展会云集了近百家国内外行业各路厂商，展示了行业最新研究成果和产品技术，是一场电力电子行业的国际盛会。

青铜剑科技应邀参加PCIM Asia 2019，现场展示了第二代ASIC芯片IGBT驱动核、汽车级和工业级IGBT驱动方案，以及适配多种碳化硅器件的碳化硅驱动方案。其中，青铜剑科技以自主研发的ASIC驱动芯片为核心、所有辅助元器件和制程工艺均为国产、完全实现自主可控的“中国芯、纯国产”系列驱动方案一经展出，便成为全场瞩目焦点，备受行业关注。

当前国际环境复杂多变，芯片依赖进口就会受制于人，芯片国产化迫在眉睫。经过不懈努力，青铜剑科技已成功研发出中国首款IGBT驱动ASIC芯片，填补了国内在该领域的技术空白。采用自主研发的ASIC芯片，青铜剑科技打造安全可靠、具竞争力的纯国产驱动方案，拥有灵活高效、高可靠性、高功率密度等特点，能够大幅提高IGBT性能，并有效保护IGBT模块，满足广大客户对国产自主可控驱动方案的需求。

同时，青铜剑科技碳化硅驱动方案是企业展台上的另一大亮点。针对英飞凌、三菱、富士、罗姆和Wolfspeed等不同厂家的碳化硅器件配套，青铜剑科技推出多款碳化硅MOSFET驱动方案，具有60kHz至100kHz高工作频率、100kV/μs高抗干扰能力、快速短路保护响应等特点。青铜剑科技碳化硅MOSFET驱动方案有助于充分发挥碳化硅功率器件高温、高频、高压的优势，可广泛应用于汽车的传动系统、电池充电器、直流变换器，以及工业的光伏逆变器、马达驱动器、不间断电源、开关模式电源等领域。

同期举办的PCIM Asia 国际研讨会是国内最具影响力的电力电子学术会议之一。6月26日上午，青铜剑科技主任硬件工程师吴晓光出席“电力电子应用论坛”并发表主题演讲，分享青铜剑科技在“高压IGBT驱动技术”方面的最新研究成果，通过对高压IGBT应用场景、高压门极驱动技术等内容的探讨，详细介绍了青铜剑科技的最新成果，获得了业内专家学者的关注与肯定。

十年铸一剑，匠心不改，以中国心铸就中国“芯”！青铜剑科技掌握IGBT驱动和电量传感核心技术，以创新姿态引领行业发展，争当电力电子芯片进口替代的探索者和实践者，助力中国电力电子技术创“芯”征程。

关键词： 第二代ASIC芯片IGBT驱动核 PCIM Asia 汽车级和工业级IGBT驱动方案 碳化硅MOSFET驱动方案