电子产品世界

　　洛阳麦斯克

　　洛阳麦斯克电子材料有限公司(简称：MCL)创建于1995年12月。主要产品是生产大规模集成电路级(IC级)4英寸、5英寸、6英寸和8英寸硅抛光片。

　　MCL是全球性硅片供应商之一。产品主要销往世界各地。如：美国、韩国、新加坡、日本、印度、中国香港等，同时保证国内外知名企业的产品供应。

　　为了使MCL成为世界上先进的硅片供应商，MCL在成立之初就按照ISO9002标准建立了比较完整的管理体系。并于1998年1月15日通过了SGS YARSHLEY和中国赛宝质量认证中心的管理体系认证。2001年5月通过了这两家公司的ISO9001：2000版的认证。2004年12月通过了SGS审核的TS16949认证，2007年2月又通过了ISO14001认证。

　　产品信息：

　　上海晶盟

　　上海晶盟硅材料有限公司隶属于合晶科技股份有限公司，合晶科技股份有限公司成立于1997年，创始团队来自美国硅谷及国内半导体产业，团队成员皆在半导体产业深耕已久。合晶目前已成为全球前十大半导体硅芯片材料供货商之一。主要产品为半导体级抛光硅芯片与半导体级外延片。

　　产品信息：

　　抛光片：合晶科技主要的抛光片为4～8吋低缺陷、高平坦度的硅芯片， 同时提供硼、磷、砷、锑等不同掺杂的硅芯片以供客户不同应用所需，并针对目前节能趋势提供低阻超重掺硅芯片技术以满足功率组件降低开路电阻(RDS(on))的需求。

　　外延片：除抛光片外，合晶科技亦提供高质量4"～8" 外延片及埋层外延代工以满足客户对CMOS与功率组件的需求， 以达成对客户one stop shopping的服务。

　　申和热磁

　　上海申和热磁电子有限公司是由日本磁性流体技术株式会社投资于上海宝山城市工业园区的全资公司。公司创立于1995年5月，现投资总额175.8亿日元，注册资本90.8亿日元。

　　上海申和热磁电子有限公司下设TE事业部、新能源材料事业部、半导体硅片事业部、表面处理事业部、洗净事业部。主要产品包括8英寸(含8英寸)以下各种规格的太阳能级单、多晶硅锭和单、多晶硅片， 4”-6”MOS、微波电路、存储器电路及大功率器件使用的外延衬底重掺的半导体研磨片和抛光片，半导体热电材料，覆铜陶瓷基板，精密零部件洗净再生和电镀服务。产品涉及电子、半导体、太阳能发电等产业领域。产品受到国内外客户的认可好评。

　　产品信息：

　　半导体硅片：2002年，上海申和半导体硅片事业部从日本东芝陶瓷引进先进的4～6inch硅片生产线，采用日本先进的生产工艺技术和生产管理模式，主要生产4”-6”MOS、微波电路、存储器电路及大功率器件使用的外延衬底重掺的半导体研磨片和抛光片。年生产能力达500万片，产业规模和产品质量水平位居中国前列。

　　中环环欧

　　天津市环欧半导体材料技术有限公司成立于2000年，国有控股企业，前身为天津半导体材料厂，是我国最早的半导体材料专业生产厂家之一，拥有50余年的半导体晶体生产历史和专业经验。公司经营的产品全部由公司独立开发和生产，拥有多项国家授权发明专利，形成了直拉单晶硅、区熔单晶硅、直拉硅片、区熔硅片四大产品系列。环欧区熔硅单晶/片的国内市场占有率超过75%以上，全球市场占有率超过18%，成为中国最大、全球第三的经销商。

　　2008年开始环欧公司先后投资成立了天津中环领先材料技术有限公司(主要产品：抛光片)、内蒙古中环光伏材料有限公司(主要产品：太阳能硅片)、内蒙古欧晶石英有限公司(主要产品：石英埚)、天津环欧国际硅材料有限公司(贸易公司)、呼和浩特市欧通能源科技有限公司(主要 产品：再生砂)。各子公司的组建延伸了环欧公司的产业链，拓展了产品应用领域，为进一步拓展国内外市场提供了强有力的保障。

　　产品信息：

　　本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon)：通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度，晶格结构完美的硅单晶，晶体生长过程中不引入任何杂质，其电阻率通常在1000Ωcm 以上，主要用于制作高反压器件和光电子器件。

　　中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon)：本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶，保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等，是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料，也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。

　　气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon)：利用杂质的扩散机理，在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质，从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题，可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶，其电阻率在0.01-200Ω.cm，少子寿命达500-2000s，径向电阻率不均匀性≤10%，。适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。

　　直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon)：采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶，产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片，其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片，太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上，并更为广泛的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。

　　宁夏银和

　　宁夏银和半导体科技有限公司成立于2015年。公司主要经营半导体晶锭、硅片的生产、销售及进出口;半导体集成电路零部件生产、配套、销售及进出口;半导体材料的研发、咨询服务。

　　产品信息：

　　今年3月，总投资16亿元的宁夏银和半导体科技有限公司大尺寸半导体硅片项目在银川经济技术开发区开工。该项目建成后，可年产420万片8英寸半导体级单晶硅片和年产240万片12英寸半导体级单晶硅片。

　　中晶(嘉兴)半导体

　　中晶(嘉兴)半导体有限公司年产480万片300mm大硅片项目选址嘉兴科技城产业加速与示范区。其中一期投资60亿元，固定资产投资超56亿元，用地面积139亩，计划建设300mm单晶硅片生产线。

　　项目计划于2021年2月竣工投产，建成后规划年产能可达480万片300mm大硅片，预计实现年销售产值达35亿元。该项目投资强度可达每亩4080万元，年产出可达每亩2450万元，年税收不低于每亩200万元，具有投资强度大、土地使用率高、产出效益高、税收贡献大等特点。

　　总结

　　虽然目前与国外企业差距甚大，但是中国企业的追赶也已经起步。中国企业在半导体大硅片材料、设备领域较为薄弱，需要与国际领军企业交流学习技术，借鉴成功经验，发展壮大。助力中国半导体产业的崛起。

　　在未来的数年，物联网、人工智能、汽车电子的火热，势必会持续推动半导体市场的发展，全球晶圆厂关闭潮，与国内疯狂建晶圆代工厂的现状，必然给国内带来巨大的硅片需求，因此建设自主的硅片供应商是势在必行，国内企业扬帆起航指日可待。

关键词： 硅片 晶圆

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