电子产品世界

　　11月5日，在第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会期间，来自中国、日本和韩国的第三代半导体专家齐聚基本半导体，参加第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会。

　　出席会议的嘉宾包括清华大学孙凯副教授和郑泽东副教授、上海交通大学马柯博士、华中科技大学蒋栋教授、长冈技术科学大学伊东淳一教授、东京都立大学和田圭二副教授、韩国亚洲大学Kyo-Beum Lee教授、奥尔堡大学王雄飞博士和杨永恒博士等多所知名高校的专家学者和基本半导体研发团队。与会嘉宾分享了各自在第三代半导体功率器件领域的最新研究主题和方向，并围绕其在新能源发电、智能电网、新能源汽车领域的技术发展及应用趋势等议题进行了探讨和交流。

　　会议期间，基本半导体总经理和巍巍博士对出席嘉宾表示热烈欢迎，并介绍了基本半导体在技术创新方面取得的突破性成果，包括自主研发的碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件产品，性能优越达到国际先进水平。

　　第三代半导体是全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点。专业院校在第三代半导体基础研究、高端人才培养方面可为产业发展提供科研支撑和人力资源。中日韩第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会为远道而来的专家学者搭建了技术交流及信息分享的平台，在热烈的讨论中碰撞出了很多新的火花。

　　基本半导体非常注重与高校的产学研合作，与清华大学共建了第三代半导体材料与器件研发中心，并与南方科技大学等单位共建深圳第三代半导体研究院。未来基本半导体将继续与世界知名高校建立更深入的合作，助力第三代半导体产业快速发展。

关键词： 基本半导体 碳化硅 第三代半导体

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