MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究
图2是以IRFP064为例，根据式(6)～(9)计算出的漏极电流不均匀度A与导通电阻均匀度B间的关系曲线(以n为参变量)，可得出如下结论：(1) 并联器件数n相同的每一组曲线，漏极电流不均匀度A随自主补偿系数M的增大而下降；(2)并联器件数n相同的每一组曲线，两条曲线间的差距随n的增大而增大；(3)并联器件数n相同的每组曲线，随n的减小而降低；(4)并联器件的静态电流不匹配度A有最大值，即A=B。所以，降低并联器件的电流不匹配度的最有效方法就是提高并联器件导通电阻的匹配程度。
3 阈值电压UT对动态电流分配的影响
动态电流分配不均是指由于器件本身参数失配而使各并联支路在开关过程中电流大小不一致的现象。原因很多，这里以图3为例分析阈值电压UT引起的电流分配不匀现象。
3．1 VT1、VT2均未导通时的栅极电压，0→t1时段，iD1=iD2=0
栅极驱动信号由负半周进人正半周后，信号源Ug向两管的栅极电容Cgs充电，即：
3．2 仅VT1管导通时的栅极电压，t1~t2时段
在t1～t2时间段内，iD1>0，iD2=0。对其整理，得到二阶微分方程组：
式中，变量系数的数量级为A≈10－8,B≈10－5,C≈－10－13。下面分析中认为B>>A>>C。考虑t1～t2时间段变量x的初始条件，t=0时(即上一阶段t=t1时)；x=UT1；并选择x'=0，并考虑微分方程中变量系数的数量级关系，得此微分方程组的解为：
3．3 两管均导通时的栅极电压，时段t2~∞
在t2～∞时间段内，iD1>0，iD2>0根据图3，可整理得出二阶微分方程组为：
式中，C=2RgCgdgm(L0+LS)，同上述略有差异，但这种差异对结果影响甚微，予以忽略。
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