ARM9(2440)对nand flash的读写操作

时间:2016-11-20来源:网络
s3c2440nandflash的操作(K9F2G08)

nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash,它具有一些优势,但它的一个劣势是很容易产生坏块,因此在使用nandflash时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用该坏块。nandflash没有地址或数据总线,如果是8位nandflash,那么它只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以page(页)为单位进行读写,以block(块)为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区,main区用于正常数据的存储,spare区用于存储一些附加信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。

三星公司是最主要的nandflash供应商,因此在它所开发的各类处理器中,实现对nandflash的支持就不足为奇了。s3c2440不仅具有nandflash的接口,而且还可以利用某些机制实现直接从nandflash启动并运行程序。本文只介绍如何对nandflash实现读、写、擦除等基本操作,不涉及nandflash启动程序的问题。

在这里,我们使用的nandflash为K9F2G08U0A,它是8位的nandflash。不同型号的nandflash的操作会有所不同,但硬件引脚基本相同,这给产品的开发扩展带来了便利。因为不同型号的PCB板是一样的,只要更新一下软件就可以使用不同容量大小的nandflash。

K9F2G08U0A的一页为(2K+64)字节(加号前面的2K表示的是main区容量,加号后面的64表示的是spare区容量),它的一块为64页,而整个设备包括了2048个块。这样算下来一共有2112M位容量,如果只算main区容量则有256M字节(即256M×8位)。要实现用8个IO口来要访问这么大的容量,K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。第一个周期访问的地址为A0~A7;第二个周期访问的地址为A8~A11,它作用在IO0~IO3上,而此时IO4~IO7必须为低电平;第三个周期访问的地址为A12~A19;第四个周期访问的地址为A20~A27;第五个周期访问的地址为A28,它作用在IO0上,而此时IO1~IO7必须为低电平。前两个周期传输的是列地址,后三个周期传输的是行地址。通过分析可知,列地址是用于寻址页内空间,行地址用于寻址页,如果要直接访问块,则需要从地址A18开始。

(2的12次方是4096,并不是2048,这是为什么?个人理解:为了兼容以后更大的NAND,NAND的地址序列可以把“列地址的长度”预留出来,虽说送的是A0-A7,A8-A11,实际取得是A0-A7,A8-A10;(页内地址空间))··········一共是2048*64=131072页,2的17次方

由于所有的命令、地址和数据全部从8位IO口传输,所以nandflash定义了一个命令集来完成各种操作。有的操作只需要一个命令(即一个周期)即可,而有的操作则需要两个命令(即两个周期)来实现。下面的宏定义为K9F2G08U0A的常用命令:

#define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1

#define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2

#define CMD_READID 0x90 //读ID命令

#define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1

#define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2

#define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1

#define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2

#define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令

#define CMD_RESET 0xff //复位

#define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1

#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0 //随意读命令周期2

#define CMD_RANDOMWRITE 0x85 //随意写命令

在这里,随意读命令和随意写命令可以实现在一页内任意地址地读写。读状态命令可以实现读取设备内的状态寄存器,通过该命令可以获知写操作或擦除操作是否完成(判断第6位),以及是否成功完成(判断第0位)。

引脚配置:

OM[1:0] = 00: Enable NAND flash memory boot
NCON : NAND flash memory selection(Normal / Advance)
0: Normal NAND flash(256Words/512Bytes page size, 3/4 address cycle)
1: Advance NAND flash(1KWords/2KBytes page size, 4/5 address cycle)
GPG13 : NAND flash memory page capacitance selection
0: Page=256Words(NCON = 0) or Page=1KWords(NCON = 1)
1: Page=512Bytes(NCON = 0) or Page=2KBytes(NCON = 1)
GPG14: NAND flash memory address cycle selection
0: 3 address cycle(NCON = 0) or 4 address cycle(NCON = 1)
1: 4 address cycle(NCON = 0) or 5 address cycle(NCON = 1)

(注:GPG13 GPG14 read only)
GPG15 : NAND flash memory bus width selection
0: 8-bit bus width
1: 16-bit bus width

与s3c2440的硬件连接:

下面介绍s3c2440的nandflash控制器。s3c2440支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的nandflash,这些配置是通过系统上电后相应引脚的高低电平来实现的。s3c2440还可以硬件产生ECC校验码,这为准确及时发现nandflash的坏块带来了方便。nandflash控制器的主要寄存器有NFCONF(nandflash配置寄存器),NFCONT(nandflash控制寄存器),NFCMMD(nandflash命令集寄存器),NFADDR(nandflash地址集寄存器),NFDATA(nandflash数据寄存器),NFMECCD0/1(nandflash的main区ECC寄存器),NFSECCD(nandflash的spare区ECC寄存器),NFSTAT(nandflash操作状态寄存器),NFESTAT0/1(nandflash的ECC状态寄存器),NFMECC0/1(nandflash用于数据的ECC寄存器),以及NFSECC(nandflash用于IO的ECC寄存器)。

NFCMMD,NFADDR和NFDATA分别用于传输命令,地址和数据,为了方便起见,我们可以定义一些宏定义用于完成上述操作:

#define NF_CMD(data) {rNFCMD = (data); } //传输命令

#define NF_ADDR(addr) {rNFADDR = (addr); } //传输地址

#define NF_RDDATA() (rNFDATA) //读32位数据

#define NF_RDDATA8() (rNFDATA8) //读8位数据

#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA = (data); } //写32位数据

#define NF_WRDATA8(data) {rNFDATA8 = (data); } //写8位数据

其中rNFDATA8的定义为(*(volatile unsigned char *)0x4E000010) //0x4E000010此地址是NFDATA寄存器的地址

NFCONF主要用到了TACLS、TWRPH0、TWRPH1,这三个变量用于配置nandflash的时序。s3c2440的数据手册没有详细说明这三个变量的具体含义,但通过它所给出的时序图,我们可以看出,TACLS为CLE/ALE有效到nWE有效之间的持续时间,TWRPH0为nWE的有效持续时间,TWRPH1为nWE无效到CLE/ALE无效之间的持续时间,这些时间都是以HCLK为单位的(本文程序中的HCLK=100MHz)。通过查阅K9F2G08U0A的数据手册,我们可以找到并计算该nandflash与s3c2440相对应的时序:K9F2G08U0A中的tWP与TWRPH0相对应,tCLH与TWRPH1相对应,(tCLS-tWP)与TACLS相对应。K9F2G08U0A给出的都是最小时间,s3c2440只要满足它的最小时间即可,因此TACLS、TWRPH0、TWRPH1这三个变量取值大一些会更保险。在这里,这三个值分别取1,2和0。

NFCONF的第0位表示的是外接的nandflash是8位IO还是16位IO,这里当然要选择8位的IO。NFCONT寄存器是另一个需要事先初始化的寄存器。它的第13位和第12位用于锁定配置,第8位到第10位用于nandflash的中断,第4位到第6位用于ECC的配置,第1位用于nandflash芯片的选取,第0位用于nandflash控制器的使能。另外,为了初始化nandflash,还需要配置GPACON寄存器,使它的第17位到第22位与nandflash芯片的控制引脚相对应。下面的程序实现了初始化nandflash控制器:

void NF_Init ( void )

{

rGPACON = (rGPACON &~(0x3f<<17)) | (0x3f<<17); //配置芯片引脚

//TACLS=1、TWRPH0=2、TWRPH1=0,8位IO,

rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);

//非锁定,屏蔽nandflash中断,初始化ECC及锁定main区和spare区ECC,使能nandflash片选及控制器

rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);

}

为了更好地应用ECC和使能nandflash片选,我们还需要一些宏定义:

#define NF_nFCE_L() {rNFCONT &= ~(1<<1); }

#define NF_CE_L() NF_nFCE_L() //打开nandflash片选

#define NF_nFCE_H() {rNFCONT |= (1<<1); }

#define NF_CE_H() NF_nFCE_H() //关闭nandflash片选

#define NF_RSTECC() {rNFCONT |= (1<<4); } //复位ECC

#define NF_MECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1<<5); } //解锁main区ECC

#define NF_MECC_Lock() {rNFCONT |= (1<<5); } //锁定main区ECC

#define NF_SECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1<<6); } //解锁spare区ECC

#define NF_SECC_Lock() {rNFCONT |= (1<<6); } //锁定spare区ECC

NFSTAT是另一个比较重要的寄存器,它的第0位可以用于判断nandflash是否在忙,第2位用于检测RnB引脚信号:

#define NF_WAITRB() {while(!(rNFSTAT&(1<<0)));} //等待nandflash不忙

#define NF_CLEAR_RB() {rNFSTAT |= (1<<2); } //清除RnB信号

#define NF_DETECT_RB() {while(!(rNFSTAT&(1<<2)));} //等待RnB信号变高,即不忙

下面就详细介绍K9F2G08U0A的基本操作,包括复位,读ID,页读、写数据,随意读、写数据,块擦除等。

复位操作最简单,只需写入复位命令即可:

static void rNF_Reset()

{

NF_CE_L(); //打开nandflash片选

NF_CLEAR_RB(); //清除RnB信号

NF_CMD(CMD_RESET); //写入复位命令

NF_DETECT_RB(); //等待RnB信号变高,即不忙

NF_CE_H(); //关闭nandflash片选

}

读取K9F2G08U0A芯片ID操作首先需要写入读ID命令,然后再写入0x00地址,就可以读取到一共五个周期的芯片ID,第一个周期为厂商ID,第二个周期为设备ID,第三个周期至第五个周期包括了一些具体的该芯片信息,这里就不多介绍:

static char rNF_ReadID()

{

char pMID;

char pDID;

char cyc3, cyc4, cyc5;

NF_nFCE_L(); //打开nandflash片选

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号

NF_CMD(CMD_READID); //读ID命令

NF_ADDR(0x0); //写0x00地址

//读五个周期的ID

pMID = NF_RDDATA8(); //厂商ID:0xEC

pDID = NF_RDDATA8(); //设备ID:0xDA

cyc3 = NF_RDDATA8(); //0x10

cyc4 = NF_RDDATA8(); //0x95

cyc5 = NF_RDDATA8(); //0x44

NF_nFCE_H(); //关闭nandflash片选

return (pDID);

}

下面介绍读操作,读操作是以页为单位进行的。如果在读取数据的过程中不进行ECC校验判断,则读操作比较简单,在写入读命令的两个周期之间写入要读取的页地址,然后读取数据即可。如果为了更准确地读取数据,则在读取完数据之后还要进行ECC校验判断,以确定所读取的数据是否正确。

在上文中我们已经介绍过,nandflash的每一页有两区:main区和spare区,main区用于存储正常的数据,spare区用于存储其他附加信息,其中就包括ECC校验码。当我们在写入数据的时候,我们就计算这一页数据的ECC校验码,然后把校验码存储到spare区的特定位置中,在下次读取这一页数据的时候,同样我们也计算ECC校验码,然后与spare区中的ECC校验码比较,如果一致则说明读取的数据正确,如果不一致则不正确。ECC的算法较为复杂,好在s3c2440能够硬件产生ECC校验码,这样就省去了不少的麻烦事。s3c2440即可以产生main区的ECC校验码,也可以产生spare区的ECC校验码。因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此s3c2440共产生4个字节的main区ECC码和2个字节的spare区ECC码。在这里我们规定,在每一页的spare区的第0个地址到第3个地址存储main区ECC,第4个地址和第5个地址存储spare区ECC。产生ECC校验码的过程为:在读取或写入哪个区的数据之前,先解锁该区的ECC,以便产生该区的ECC。在读取或写入完数据之后,再锁定该区的ECC,这样系统就会把产生的ECC码保存到相应的寄存器中。main区的ECC保存到NFMECC0/1中(因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此这里只用到了NFMECC0),spare区的ECC保存到NFSECC中。对于读操作来说,我们还要继续读取spare区的相应地址内容,已得到上次写操作时所存储的main区和spare区的ECC,并把这些数据分别放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相应位置中。最后我们就可以通过读取NFESTAT0/1(因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此这里只用到了NFESTAT0)中的低4位来判断读取的数据是否正确,其中第0位和第1位为main区指示错误,第2位和第3位为spare区指示错误。

下面就给出一段具体的页读操作程序:

U8 rNF_ReadPage(U32 page_number)

{

U32 i, mecc0, secc;

NF_RSTECC(); //复位ECC

NF_MECC_UnLock(); //解锁main区ECC

NF_nFCE_L(); //打开nandflash片选

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号

NF_CMD(CMD_READ1); //页读命令周期1

//写入5个地址周期

NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7

NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11

NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19

NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27

NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28

NF_CMD(CMD_READ2); //页读命令周期2

NF_DETECT_RB(); //等待RnB信号变高,即不忙

//读取一页数据内容

for (i = 0; i < 2048; i++)

{

buffer[i] = NF_RDDATA8();

}

NF_MECC_Lock(); //锁定main区ECC值

NF_SECC_UnLock(); //解锁spare区ECC

mecc0=NF_RDDATA(); //读spare区的前4个地址内容,即第2048~2051地址,这4个字节为main区的ECC

//把读取到的main区的ECC校验码放入NFMECCD0/1的相应位置内

rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff);

rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);

NF_SECC_Lock(); //锁定spare区的ECC值

secc=NF_RDDATA(); //继续读spare区的4个地址内容,即第2052~2055地址,其中前2个字节为spare区的ECC值

//把读取到的spare区的ECC校验码放入NFSECCD的相应位置内

rNFSECCD=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff);

NF_nFCE_H(); //关闭nandflash片选

//判断所读取到的数据是否正确

if ((rNFESTAT0&0xf) == 0x0)

return 0x66; //正确

else

return 0x44; //错误

}

这段程序是把某一页的内容读取到全局变量数组buffer中。该程序的输入参数直接就为K9F2G08U0A的第几页,例如我们要读取第128064页中的内容,可以调用该程序为:rNF_ReadPage(128064);。由于第128064页是第2001块中的第0页(128064=2001×64+0),所以为了更清楚地表示页与块之间的关系,也可以写为:rNF_ReadPage(2001*64);。

页写操作的大致流程为:在两个写命令周期之间分别写入页地址和数据,当然如果为了保证下次读取该数据时的正确性,还需要把main区的ECC值和spare区的ECC值写入到该页的spare区内。然后我们还需要读取状态寄存器,以判断这次写操作是否正确。下面就给出一段具体的页写操作程序,其中输入参数也是要写入数据到第几页:

U8 rNF_WritePage(U32 page_number)

{

U32 i, mecc0, secc;

U8 stat, temp;

temp = rNF_IsBadBlock(page_number>>6); //判断该块是否为坏块

if(temp == 0x33)

return 0x42; //是坏块,返回

NF_RSTECC(); //复位ECC

NF_MECC_UnLock(); //解锁main区的ECC

NF_nFCE_L(); //打开nandflash片选

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号

NF_CMD(CMD_WRITE1); //页写命令周期1

//写入5个地址周期

NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7

NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11

NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19

NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27

NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28

//写入一页数据

for (i = 0; i < 2048; i++)

{

NF_WRDATA8((char)(i+6));

}

NF_MECC_Lock(); //锁定main区的ECC值

mecc0=rNFMECC0; //读取main区的ECC校验码

//把ECC校验码由字型转换为字节型,并保存到全局变量数组ECCBuf中

ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff);

ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8) & 0xff);

ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16) & 0xff);

ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24) & 0xff);

NF_SECC_UnLock(); //解锁spare区的ECC

//把main区的ECC值写入到spare区的前4个字节地址内,即第2048~2051地址

for(i=0;i<4;i++)

{

NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);

}

NF_SECC_Lock(); //锁定spare区的ECC值

secc=rNFSECC; //读取spare区的ECC校验码

//把ECC校验码保存到全局变量数组ECCBuf中

ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff);

ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8) & 0xff);

//把spare区的ECC值继续写入到spare区的第2052~2053地址内

for(i=4;i<6;i++)

{

NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);

}

NF_CMD(CMD_WRITE2); //页写命令周期2

delay(1000); //延时一段时间,以等待写操作完成

NF_CMD(CMD_STATUS); //读状态命令

//判断状态值的第6位是否为1,即是否在忙,该语句的作用与NF_DETECT_RB();相同

do{

stat = NF_RDDATA8();

}while(!(stat&0x40));

NF_nFCE_H(); //关闭nandflash片选

//判断状态值的第0位是否为0,为0则写操作正确,否则错误

if (stat & 0x1)

{

temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6); //标注该页所在的块为坏块

if (temp == 0x21)

return 0x43 //标注坏块失败

else

return 0x44; //写操作失败

}

else

return 0x66; //写操作成功

}

关键词: ARM9(2440)nandflash读写操

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