电子产品世界

　　与导体表面网格尺寸限制相比，相同尺寸限制条件下介质内部限制的仿真工作量要远远大于导体表面网格尺寸限制。

　　基于上面的分析，对限制区域进一步精简(如图9，区域宽度为传输线截面宽度)，得到2H、H、1/2H条件下S21插入损耗与相位(如图10)和TDR损耗曲线(如图11)的对比结果。

　　图9 介质内部网格尺寸限制区域(精简后)

　　图10 介质内部网格尺寸限制下损耗和相位仿真结果(精简后)

　　图11 介质内部网格尺寸限制下阻抗特性仿真结果(精简后)

　　4.分析总结

　　根据前文中不同限制条件下得到的结果，对几种能够适用于工程实践的网格限制方法进行对比分析，分别如下：

　　a) 无限制，作为参照组;

　　b) 基于导体表面网格划分限制，最大尺寸为1/2H;

　　c) 基于介质内部网格划分限制，限制区域宽度为3H，最大尺寸为H;

　　d) 基于介质内部网格划分限制，限制区域宽度为传输线宽度，最大尺寸为H;

　　e) 测试结果，作为参考。

　　自适应后的网格划分结果对比如图12，其中，b与c的网格分布与实际的电磁场分布更加匹配。

　　图12 不同划分方法下自适应后的网格划分结果

　　损耗与相位的仿真与测试结果对比如图13，TDR阻抗仿真结果对比如图14，表为仿真工作量对比结果。b与c的损耗仿真精度优于d;b、c、d的阻抗仿真精度接近;仿真工作量d、c、b依次增加。综合考虑，b与c在工程实践中能够兼顾精度和效率。

　　图13 不同网格划分方法下损耗和相位仿真结果

　　图14 不同网格划分方法下阻抗特性仿真结果

关键词： HFSS