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　　图6是导通孔的材料使用导电胶的方式。使用多层板的层间连接所用的铜(Cu)，银(Ag)和烧结合金等材料，通过压接或者金属结合而连接元件。

　　图6表示了在聚酰亚胺多层板上嵌入经过背面研磨而薄型化的WLP例。嵌入的LSI经过WLP加工使电极的节距扩大到与PCB的导通孔同样的节距，厚度达到0.1 mm以下的薄型化。基板上形成的导通孔填充未固化的导电胶，基板/WLP和隔板(Spacer)/基板积层，一次加热加压。加热过程中依次进行导通孔中填充的导电胶固化，粘结材的流动和固化，同时完成了PCB/WLP之间的电气连接和嵌入粘结。利用导电胶导通孔的一次积层法中，由于在PCB的积层与元件的嵌入以前已经形成全层的线路，所以具有降低元件嵌入以后所发生的不良率的优越性。为了使该工艺适应将来的LSI的多针化，与裸芯片连接的导通孔节距的微细化是今后的课题。

　　4.2 芯片安装(Mounting)方式

　　图7表示了使用激光导通孔加工和镀层连接的元件嵌入工艺。把嵌入的元件置于基板的一部分上设置的空腔(Cavity)内，然后用树脂填充而嵌入元件。使用厚铜(Cu)芯的基板，利用铜(Cu)的蚀刻形成空腔。芯板一面上贴附树脂片，堵塞空腔的一侧以后，在它的底面上固定元件。空腔的开口侧积层树脂片并进行加热，空腔内壁与元件的间隙用树脂填充使元件固定。嵌入元件的电极上的树脂形成激光导通孔开口。采用半加成法形成基板表层线路的同时采用镀铜(Cu)层填充导通孔。基板正反面的连接，空腔形成时预先在铜(Cu)芯的一部分开口，充填树脂以后采用激光形成贯通孔。采用该技术的基板具有优良的导热性，尤其是嵌入发热量多的元件时具有高散热性的特征。

　　图8表示了利用一次积层法的元件嵌入工艺的概念图，作为利用导电胶的一次积层法的无源元件埋入技术，Ag-Sn系合金材料用于导通孔，LCP用作绝缘材料。配置元件处形成空腔的单面板积层规定的枚数，与此同时元件插入空腔以后进行加热加压。导通孔内填充的由Ag和Sn构成的胶材料由于加热而烧结，与此同时Sn扩散到线路板和元件的Cu电极上形成金属结合。热可塑性材料LCP(Liquid CrystalPolymer)由于加热而软化，使基板之间接合，与此同时流入到元件与空腔的间隙而嵌入元件。加热加压过程中由于树脂的流动影响到导通孔形成，元件与小型基板的间隙附近存在导通孔时，树脂流通的精确控制对于确保连接可靠性至关重要。

关键词： 埋嵌元件 PCB 基板