电子产品世界

七、选择线经，确定初级、次级和反馈绕组匝数。
线经的选择按每平方mm传递4~6A平均电流来计算。根据铜窗折中选择线经和匝数。尽量使Np、Ns和Na的取值接近整数。
八、做样品、调整参数。
按照相关的法律法规来制作样品，必须满足产品市场的法律法规。包括温升、绝缘等
级、安规、EMI、EMC等。
电磁屏蔽（法拉利屏蔽），绕组之间的屏蔽不能形成回路，一端悬空，一端连接初级
或次级的冷地（没有电压突变的点）。最外层的（磁芯外屏蔽）屏蔽必须形成回路，并将
节点连接到初级或次级的冷地。绕制变压器时做到：热节点（指电压或电流突变的节点）
放置在底层。九、参考例子：

1、 确定Dmax和Vor。

假设次级二极管正向压降Vd=0.7V，则：

VS=Vo+Vd=16.5+0.7=17.2V
Vor取80V，Vinmin=（1-a）*85*1.414 a：为线电压整流后的纹波因子，与所用的
滤波电容的大小直接相关，电容量越大，a越小。一般电容量按每瓦2~3uF，来选
择。假设a=0.3，则：
Vinmin=85*1.414*0.7=84V
在这里a的选择必须注意了，如果选择比实际的小了，那么实际的将大于设计的占
空比，若IC 有限制的话，将导致工作异常。
Dmax= Vor/（Vin+Vor）=80/（80+84）=0.488
IC 内部设计的最大占空比为0.6，所以仅从占空比的角度来看是满足要求了。
验证Vor的合理性。已知MOS的VDS=650V，最大直流电压
Vinmax=265*1.414=375，假设Vleg=120V，则
余量Vy=650-375-80-120=75V
余量一般有30V就可以了，因此在设计RCD吸收电路时，可以将Vleg的电压设置
在155V，这样可以减少RCD吸收回路的功耗，从而提升效率。

2、 求匝比n。
n =Vor/(Vo+Vd)=80/17.2=4.65

3、 求初级电感量Lp。
Lp=Vinmin*Tonmax/Ipp=Vinmin*Vinmin*Dmax*Dmax/（2*Pin*fs*K）
=84*84*0.488*0.488/（50*1.5*2*17.2*0.35/0.76）
=1.414mH
所以Lp=1.414*1.1=1.55mH。

4、 选择磁芯。
Ap = AwAe = (Pt*10000) / 2ΔB*f
*J*Ku=[(17.2*0.35/0.76+17.2*0.35)*10000]/(2*0.25*50000*400*0.2 )=0.0768平方厘
米
式中 Pt = Po /η +Po 传输功率
J : 电流密度 A / cm2 (300~500)
Ku: 绕組系数 0.2 ~ 0.5 .
查磁芯手册可知，EE16 AP=0.0765 比较接近。故选择EE16.5、 求最小初级匝数。

6、 初级、次级和反馈绕组匝数关系。
n=4.65 NS=125/4.65=26.88,在这里不能为小数，取29圈。

na=VS/VA=17.2/(16.5+0.7)=1
NA=NS=29圈
NP=4.65*29=134.85 取135圈.

7、 选择线经，确定初级、次级和反馈绕组匝数。
初级次级平均电流最大值0.0943A,若按6A/mmmm,则Ds=0.1415mm 取0.15mm-
2UEW铜线。
反馈绕组，由于电流较小，考虑到容易绕线，取0.13mm-2UEW铜线。
次级平均电流0.35A,若按6A/mmmm,则Ds=0.2726mm,次级铜线如果用的是2UEW
线的话，电流密度取：4~6A/mmmm；若用的是TEX(三层绝缘线)线的话电流密度
最大可取到10A/mmmm.

8、 做样品、调整参数。
根据第7步计算的方法来调整线经，使其可方便制样。绕法略……。

关键词： 反激变压器