基于L6562的高功率因数boost电路的设计
输出功率26．5 W，最小工作频率为65 kHz来进行实物实验，同时根据计算，并通过IL(pk)=465．3 mA来选取导线为mm，Jc=4／mm2，L=2．99 mH(L=2．7 mH时，验证最小频率为72 kHz>65 kHz，可满足设计要求)。
设Ku=0．3，δBmax=0．3T，由(4)式计算得：
AP_req(min)=6．64×10-10m4
这样，可选择磁芯EE16／6／5，其AP=7．5×10-10m4，可满足设计要求；而由(5)式计算得Np=218．1匝，取215匝，并验证δBmax=0．304T，气隙lgap=0．41 mm。
根据以上计算参数所搭建的试验模型来进行的结果如图6所示。
由图6可见，输入电流能良好的跟随输入电压，且电流电压相位差接近于零，故可实现高功率因数的控制。另外，MOSFET的电流是一种高频三角波，其包络为输入电压。由于MOSFET可实现软开关，能有效减小开关损耗。根据测试结果，该电路的PF可达0．998以上，THD在5％以下。
5 结束语
本文基于L6562芯片设计了Boost高功率因数电路，并引用AP法则设计其关键元器件——Boost电感。经试验验证，该电路启动电流小，外围元器件少，成本低廉，能同时满足电源系统重量轻，稳定性好，可靠性高等要求。实验证明，AP法则是一种快速准确的设计方法。
设Ku=0．3，δBmax=0．3T，由(4)式计算得：
AP_req(min)=6．64×10-10m4
这样，可选择磁芯EE16／6／5，其AP=7．5×10-10m4，可满足设计要求；而由(5)式计算得Np=218．1匝，取215匝，并验证δBmax=0．304T，气隙lgap=0．41 mm。
根据以上计算参数所搭建的试验模型来进行的结果如图6所示。
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由图6可见，输入电流能良好的跟随输入电压，且电流电压相位差接近于零，故可实现高功率因数的控制。另外，MOSFET的电流是一种高频三角波，其包络为输入电压。由于MOSFET可实现软开关，能有效减小开关损耗。根据测试结果，该电路的PF可达0．998以上，THD在5％以下。
5 结束语
本文基于L6562芯片设计了Boost高功率因数电路，并引用AP法则设计其关键元器件——Boost电感。经试验验证，该电路启动电流小，外围元器件少，成本低廉，能同时满足电源系统重量轻，稳定性好，可靠性高等要求。实验证明，AP法则是一种快速准确的设计方法。
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