电子产品世界

　　如果一切都是如此严格成正比且可以预测的话，有什么改进的办法吗？是的，其思路就是最小化(调低)基本单元的面积，这样在相同的占位空间中可以集成更多的单元，从而使RDS(on)下降，并维持电容不变。为了成功地改良每一代MOSFET产品，有必要持续地进行技术改良并改进晶体圆制造工艺(更出色的线蚀刻、更好的受控灌注等等)。

　　但是，持续不断地努力开发更好的工艺技术不是改良MOSFET的唯一途径；概念设计的变革可能会极大地提高性能。这样的突破就是飞利浦去年11月宣布：开发成功TrenchMOS工艺。其栅结构不是与裸片表面平行，现在是构建在沟道之中，垂直于表面，因此，占用的空间较少并且使电流的流动真正是垂直的(见图3)。在RDS(on)相同的情况下，飞利浦的三极管把面积减少了50%；或者，在相同的电流处理能力下，把面积减少了35%。

图3：Trench MOS结构。

本文小结

　　我们把MOSFET与更为著名、更为常用的双极型三极管进行了比较，我们看到MOSFET比BJT所具备的主要优势，我们现在也意识到一些折衷。最重要的结论在于：整个电路的效率是由具体应用决定的；工程师要在所有的工作条件下仔细地评估传导和开关损耗的平衡，然后，决定所要使用的器件是常规的双极型、MOSFET或可能是IGBT？

关键词： 功率 MOSFET 基础知识