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　　三、写操作过程

　　写操作的过程为: 1、发送写开始指令；2、发送第1个cycle地址；3、发送第2个cycle地址；4、发送第3个cycle地址；5、发送第4个cycle地址；6、写入数据至页末；7、发送写结束指令

　　下面通过分析写入页的代码，阐述读写过程。

　　static void WritePage(U32 addr, U8 *buf) //addr表示flash中的第几页，即‘flash地址>>9’

　　{

　　U32 i;

　　NFChipEn(); //使能NandFlash

　　WrNFCmd(PROGCMD0); //发送写开始指令’0x80’

　　WrNFAddr(0); //写地址的第1个cycle

　　WrNFAddr(addr); //写地址的第2个cycle

　　WrNFAddr(addr>>8); //写地址的第3个cycle

　　WrNFAddr(addr>>16); 写地址的第4个cycle

　　WaitNFBusy(); //等待系统不忙

　　for(i=0; i512; i++)

　　WrNFDat(buf[i]); //循环写入1页数据

　　WrNFCmd(PROGCMD1); //发送写结束指令’0x10’

　　NFChipDs(); //释放NandFlash

　　}

　　四、总结

　　本文以S3C2410处理器和k9f1208系统为例讲述了nand flash的读写过程。在读写过程中没有考虑到坏块问题，有关ecc及坏块处理问题将在下个专题中讲述。

关键词： NandFlash S3C2410 memory cell