HID灯镇流器中UniFET II MOSFET的性能和效率
因此，灯的平均电压可通过调节高频引线中MOSFET的占空比进行控制。由于MOSFET体二极管的反向恢复特性较差，因此如果逆变器的高频引线(如图7所示)在连续导通模式(CCM)下工作，则必然会出现直通电流。 由于这些极差的反向恢复特性，混频全桥逆变器的高频引线(如图7所示)中需要附加FRD。当逆变器在连续导通模式(CCM)下工作且出现直通电流时，最终会对MOSFET造成损坏。 然而，在灯发光后，逆变器必然要在连续导通模式(CCM)下工作几分钟。 因此，需要4个附加FRD，以防在传统解决方案中出现MOSFET故障。
实验结果
为了验证UniFET II MOSFET的有效性，用带混频全桥逆变器的150 W室内HID灯镇流器进行了实验。 镇流器的逆变器电路与图7所示相同，而且与表2中所应用的一样。 低频引线由2个IGBT组成，而且其工作频率范围为60至120 Hz。 同时，高频引线由2个MOSFET和4个FRD(2个阻断FRD和2个续流FRD)组成，而且其工作频率范围为30至110 kHz。 在传统解决方案中，正向电流流经MOSFET和阻断FRD，而反向电流仅流经续流FRD。
但是，如果仅使用MOSFET，正向和续流电流都会流经MOSFET的沟道或体二极管。 如果体二极管的反向恢复特性差，而且逆变器在连续导通模式(CCM)下工作，则MOSFET最终必然会被过高的反向恢复电流损坏。
如表1所示，UniFET II Ultra FRFET MOSFET (FDPF8N50NZU)的RDS(on)为1.2Ω，而传统MOSFET(FQPF9N50C)的RDS(on)为0.85Ω。但是，UniFET II MOSFET的Trr和Irr特性更优于传统MOSFET，而且比FRD也要好。因此，UniFET II Ultra FRFET MOSFET允许去除混频全桥逆变器中的4个附加FRD，即使是在连续导通模式(CCM) 下工作。
图9显示的是瞬态和稳态下的灯电压和电流，将HID灯描述为具有负电阻系数 – 随着灯电压的增大，灯电流会减小。点火后，灯阻抗极低， 因此电压为最小值。 随着镇流器的运行进入稳态，灯电流会减小，而灯电压会增大。
图10显示的是低频引线的开关(IGBT)电流。 在瞬态期间，开关电流在连续导通模式(CCM)下流动;而在稳态期间，开关电流在临界导通模式(CRM)下流动。
高频引线的开关电流如图11所示。 由于开关电流在高频引线中断断续续地流动，因此在瞬态期间导通瞬间观测到直通大电流。 当工作模式从瞬态转变为稳态时，直通电流会变小但仍然存在，即使在完全饱和的稳态下。
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