系统中的电磁兼容设计挑战
至于高压和混合信号ASIC技术，AMI公司的I2T和I3T系列就是优秀的例子。该设计处理的电压高达80V，基于0.35μm CMOS技术的I3T80在单芯片内集成了复杂的数字电路、嵌入式处理器、存储器、外围设备、高压功能和不同的接口。
AMIS采用混合信号技术和许多上述优秀的EMC设计方法开发了针对汽车应用的一系列ASSP，包括AMIS-41682标准速度、AMIS-42665和AMIS-30660高速CAN收发器。对于要求CAN通信速率最高达1Mbps的12V和24V汽车及工业应用，这些器件为CAN控制器和物理总线之间提供了接口并简化设计和减少了元件数量。例如，AMIS-30660完全符合ISO 11898-2标准，并通过CAN控制器的发送和接收引脚向CAN总线提供差分信令能力;该芯片为设计工程师提供了3.3V或5V逻辑电平接口的选择，确保兼容现有的应用及即将出现的低电压设计需求。仔细匹配输出信号，就可以省略最小化EME所需要的共模扼流圈，同时接收输入的宽共模电压范围(±35V)还可确保高的EMS性能。
电磁兼容设计的重要性
随着现代汽车中电子设备的增加，越来越要求进行良好的设计以确保符合电磁兼容标准的要求。与此同时，随着集成度的提高，汽车设计工程师需要系统级芯片ASIC和ASSP方案来替换多个离散元件的方案。
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