2.电源传导、辐射整改实例
; MARGIN: 20px 0px 0px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/25px 宋体, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px"> 于是用频谱分别对 MOS 管的G、D、S 三个脚接触看一下是哪个脚是辐射源,发现D 极的辐射源最大。![2.电源传导、辐射整改实例](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207380_2_0.jpg)
![2.电源传导、辐射整改实例](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207380_2_1.jpg)
![2.电源传导、辐射整改实例](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207380_2_2.jpg)
于是我在D 极上串了一个通用的插件磁珠。(¢3.5*8)再看MOS 管的频谱曲线如下:
![2.电源传导、辐射整改实例](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207380_2_0.jpg)
大家可以看到此时 MOS 管的辐射明显减小而且更平稳了一些.于是第二次做了测试.结果如下:
![2.电源传导、辐射整改实例](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207380_2_1.jpg)
从上图可以看到此时的传导已经非常的好,余量最小的为8.6dB.
![2.电源传导、辐射整改实例](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207380_2_2.jpg)
上图为 V 方向空间辐射曲线最小余量为8.3dB.![2.电源传导、辐射整改实例](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207380_2_3.jpg)
![2.电源传导、辐射整改实例](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207380_2_3.jpg)
上图为H 方向的曲线余量更大。
经过两次的修改该产品顺利的符合了客户要求的标准测试。最终的整改方案为:
1. 将 MOS 管,双向二极管的散热片面接入电源的热地。
2. 将 X 电容改为0.22uF。
![](https://webstorage.eepw.com.cn/images/2014/m/wx.png)
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