缺陷对石墨烯电子结构的影响
在计算中，以石墨烯原胞扩展后含50个碳原子的超晶胞为基础分别建立了Stone-Wales缺陷模型和单、双空位缺陷模型，进行几何优化后分别如图3所示。建立缺陷模型大小的依据是尽量减小由于缺陷引入而引起的超胞周围的形变。
在计算所有模型的电学性质时采取的积分路径如图1所示，首先由Γ出发到达X点，再由X点出发到达K点，最后再由K点回到出发点Γ点，从而完成在布里渊内的积分计算。
2 计算结果和讨论
2．1 石墨烯及其缺陷体系能带结构
为便于分析缺陷对石墨烯电子结构及导电性的影响，文中首先计算了如图3(a)所示的含50个碳原子的本征石墨烯超胞模型的能带结构，如图4(a)所示，其中黑色虚线表示体系的费米能级。在能带结构中，只关心费米能级处附近的能带，因此只在计算结果中选取费米能级附近20条能带进行分析
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号：EEPW
或用微信扫描左侧二维码
