晶体变换器的印刷电路基板的制作与调整
(一面观察主接收机的S电表，一面调整铁芯，使S电表指示摆振为最大。)
所制作的晶体变换器的特性 ▲VG2S与电功率放大率的测试 图29所示的是VG2S从0～4V变化时的电功率放大率变化与高频率放大电路的FET漏极电流变化的情况。此处的电功率放大率是包含至频率变换电路为止的数据。 VG2S＝0V时的电功率放大率为32dB，VG2S＝4V时为43dB，放大率的调整量为11dB。漏极电流的最大值为18mA，漏极损失PD=18×6＝108mW，没有超过最大损失值。
图29 FET的VG2S改变时的Gp，ID特性(随着VG2S的电压变化，电功率放大率变化为30～44dB。主接收机的感度低，也可以使用。)
▲接收频带范围的测试 图30所示的为频率从116M～130MHz为止变化时的电功率放大率。在中心频率的122MHz与边源的130MHz，感度差为11dB。可是，在实际接收Air Band时，也不太感觉出其边端的差异。
图30晶体变换器的接收频率与电功率放大率(由于频带宽为14MHz，因此，在频带内的电功率放大率差为11dB。使用上没有什么问题。)
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