大功率VDMOS(200V)的设计研究
3 结语
200V VDMOS器件的设计主要受到击穿电压和导通电阻两个参数的相互影响和相互制约，在设计中应优化两个参数的范圈。在满足其中一个的条件下使另一个达到最优的选择，采用仿真设计可大大减少设计成本。
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200V VDMOS器件的设计主要受到击穿电压和导通电阻两个参数的相互影响和相互制约，在设计中应优化两个参数的范圈。在满足其中一个的条件下使另一个达到最优的选择，采用仿真设计可大大减少设计成本。
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