实现SOPC的嵌入式软硬件协同设计平台
2．2 电源电路设计
本设计采用了可调三端稳压器LM1117T-ADJ，可以将电压进行线性转换，电流为800 mA，3引脚的T0200封装。Cyclone系列FPGA上电的最大电流为300mA，该芯片可以满足要求。LM1117需要在输出与地之间接入电容以维持内部电路的稳定，输入与地之间也需要接入电容对输入信号进行滤波。具体的连接如图3所示。
2．3 Flash接口电路设计
Flash即闪速存储器，是一种在系统可电擦写的存储器。作为一种非易失性存储器，Flash主要有两个功能，一部分用来存储数据，另一部分存储专用程序。
由于不同厂家的Flash的擦写时序往往不同，Niosll只支持部分常用的Flash，对于不支持的Flash类型，需要NiosII系统设计人员自己完成相关Flash擦写子程序的编写。本平台采用的AM29LV065 Flash存储器。采用48脚TSOP封装，8位数据宽度，工作电压为2．7～3．6V，读写操作都较一般Flash省电，仅需要单3 V电压即可完成在系统编程与擦除操作。
Flash选用的是22×8，即地址总线为22位，数据总线为8位，其连接关系如图4所示。
2．4 SDRAM接口电路设计
与Flash存储器不同，SDRAM不具有掉电保护数据的特性，但其操作都是由时钟作为同步。可以将其理解为一个电容，总是倾向于放电，为避免数据丢失，必须定时刷新(充电)。因此，要在系统中使用SDRAM，就要求微处理器具有刷新控制逻辑，或在系统中加入刷新控制逻辑电路。
在NiosII系统中，SDRAM主要用于存放运行程序和数据，并且其运行速度比Flash快很多。所以在SOPC系统中，当系统启动后，NiosII CPU首先从复位地址0x0处读取启动代码，在完成系统的初始化后，程序代码一般应调入SDRAM中运行，以提高系统的运行速度。平台使用的是hynix57V641620HGT，其存储容量为4Bank×1M×16位(64 Mb)。SDRAM与总线的连接关系如图5所示，其刷新频率是靠FPGA内的PLL经过相移来提供。
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