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　　对比版图修正前后两版芯片的测试结果，我们可以发现修正后ADC的INL从原来的-5.0/+4.8LSB降低为-0.62/+0.46LSB，在2.41MHz输入，100MHz采样率下SNDR和SFDR分别从原来的57.9dB和68.9dBc提高到67.5dB和87.2dBc。所以说，本文对寄生电阻的分析是合理的，对应的修正措施也是行之有效的。

　　结语

　　本文给出了两次流片的测试结果，着重分析了第一版芯片性能不太理想的原因，指出问题出在版图设计中的寄生电阻效应，并用MATLAB行为级建模验证了这种效应对ADC性能的影响。根据分析结果，第二版芯片版图相应地作了修正并再次流片，测试结果表明本文对寄生电阻的分析是合理的，对应的修正措施也是行之有效的。修正后ADC的INL从原来的-5.0/+4.8 LSB降低为-0.62/+0.46 LSB;在2.41MHz输入，100MHz采样率下SNDR和SFDR分别从原来的57.9dB和68.9dBc提高到67.5dB和87.2dBc。该ADC是在0.18mm CMOS工艺下加工的，总面积为3.51mm2，电源电压为1.8V，功耗仅112mW。

关键词： 流水线ADC 参考电路 寄生电阻 201009