高线性度设计的CMOS调幅电路技术

时间:2010-06-08来源:网络

若存在另外一组同样结构的电路,设这两组电流输出分别为IO1和 系:IO2,Vb节点共用,即Vb1=Vb2,让其构成减法电路,则:

Vc2、Vd和两个电压乘积的线性控制。考虑到控制的方便并保证所有管子工作在饱和区,令Vc2=0,VG2=0,则I0l-I02d=KVcVG1,这样就实现了模拟信号相乘的运算。

有源衰减器和偏置电路

图2为有源衰减器电路,该结构左右对称,其输入电压Vx和输出电压V1均为平衡差动信号,其中M10和M12、M11和M13构成两管的有源衰减器;M8和M9分别以I1和I2为电流源的源极跟随器,主要完成信号的传输以及电平位移,并提供负载合适的偏置。


设M10、M11工作处于线性区,M12、M13工作在饱和区。忽略二级效应沟道调制和体效应,经公式推导,输出信号和输人信号有如下关系


可以看出F即为衰减系数并可以通过调整M10、M12的宽长比得到合适的F值。

要保证电路正常工作需要提供稳定的偏置,图3给出了偏置电压Vbias设M14~M17都工作在饱和区,M14和M17完全相同且(L,/W)16>(L,w)17忽略所有MOS管的二级效应,由于M14和M15的镜像作用,流过M14和M15管子的电流相等。则有:

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关键词: CMOS 高线性度 调幅 电路技术

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