双向过压过流保护器件NCP370 的原理及应用

时间:2009-12-08来源:网络

2.5 DIR输入
将NCP370的DIR端强制拉低,并将DEV端拉高,NCP370即可进入正向充电状态。而将DIR端置高时,OUT端会与IN端断开,具体的充电状态设置如表1所列。另外,DIR也会受到OVLO或U-VLO故障的影响(FLAG有效)。

3 典型应用
NCP370具有保护电压下降的功能,通过该功能可使电路免受IN端反向电压的影响。当出现反向电压时,NCP370的输出将与输入端断开。
图4所示是NCP370的典型应用电路。

将NCP370的DIR端强制置高(>1.2 V),且将DEV端置低(0.55 V),NCP370便可进入反向供电状态,此时系统内的电源可以向置于底部连接器的外设供电。而NCP370则由电池来供电,范围为2.5~5.5 V,而且此时的OCP和热关断模式同样起作用。
当外设电阻Rlim上的电流(Ilim)高于Iocp时,流过其内部N沟道MOS管的电流就会受到限制,这样,NCP370就能提供从电池到外设的反向过流保护功能。由于NCP370的内部电阻与Ilim是串联关系,因此,当Ilim引脚直接与GND相连时,其OCP最大,而在它们之间接入Rlim时,其OCP会减小,OCP的取值大小如表2所列。当电流高于OCP时,其内部的NMOS会关断,且/FIAG会置低,同时NCP370会通知微控制器来对故障进行处理,并禁止反向充电模式。

通过NCP370内部的热关断保护电路,可在温度过高时关断内部MOSFET,从而及时为器件降温。NCP370所允许的最高热关断值为150℃,超过这个温度,FLAG就会置低,并通知MCU。但是,由于NCP370芯片还具有30℃的热滞,因此,只有在温度低于120℃时,其芯片内部的MOSFET才能开启;而在高于120℃时,NCP370会一直处于热关断状态。此后,故障消除,芯片即可恢复正常工作。 NCP370在OUT端内部集成有2个低RDS(on)的N沟道MOS管,可用以实现对OUT端外系统在过压、负向电压及反向电流下的保护。通常,N沟道MOS管的这种RDS(on)特性会在OUT端引入少量损耗。


4 结束语
NCP370是安森美半导体公司针对便携式应用系统产品最新推出的重要器件,该器件可为手机、数码相机、MP3/4、个人数字助理(PDA)和GPS系统提供28 V的正向及负向过压和过流保护(OVP)。此外,NCP370还提供有“反向”模式,可实现便携式设备电池中反向电流的稳流,故可广泛用于便携式设备底部连接器上FM收发器以及音频和闪光等功能附件电路的供电。

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关键词: 原理 应用 NCP370 器件 保护 双向

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