中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米

时间:2009-10-14来源:电子产品世界

  中芯国际今天宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体 (CMOS) 技术将延伸至40纳米以及55纳米。

  这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力,更好地满足全球客户的需求,包括快速增长的中国市场在内。其应用产品包括多媒体产品、图形芯片、芯片组以及手机设备(如3G/4G 手机)。

  “中芯国际上海的12英寸厂已提前达标完成了45纳米的技术工艺。我们也同样期盼着这些附加的延伸技术能取得佳绩。”张汝京博士 -- 中芯国际总裁兼首席执行长表示,“这些新技术为我们现有的客户和新客户提供了一系列的定制解决方案,以满足他们对不同产品的设计需求。”

关键词: 中芯国际 CMOS 45纳米 40纳米 55纳米

加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号:EEPW

或用微信扫描左侧二维码

相关文章

查看电脑版