应用降压转换控制器建立高性能多路输出开关电源(06-100)
下端场效应管的栅极损耗(PQl-2_GATE)也可由此近似公式得到：
下端场效应管在导通时的损耗为：
在死区时间内Q1-2的损耗是在它寄生二极管上的传导损耗(PQl-2_D)：
其中tDEAD是电源控制芯片上下端场效应管驱动的死区时间。SC2463的死区时间约为100ns。
Q2总损耗(PQ2)是它的栅极损耗、传导损耗、开关损耗和寄生二极管传导损耗的总和。以图1为例，FDS6898A上下端导通内阻都是14mΩ，整 个FDS6898损耗为0.34W。
场效应管的结温可由下式计算：
从FDS6898A手册上可查到它最大的结温至室温热阻是78~C/W(qJA)，如果图1电源环境最高温度是450℃，那么Q1工作结温(TQ1_ J)为72℃(45+78×0.34)。这温度远小于FDS6898A 150℃的结温限制。这里假设Q1被直接焊在二盎司铜层和一平方英寸面积的PCB散热焊盘上。如果需要更进一步降低Q1的结温，可以增加PCB散热焊盘面积或将Q1套上外加的散热器。另外，芯片到散热焊盘的焊接，封装芯片材料，热接触面，热结合性能，可得到的有效散热区域和环境空气流动状况(自然或强制对流)都对场效应管晶片的温升都有很大的关系。实际温度的测量和验证是场效应管热设计的关键。
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