瑞萨发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）”
瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）”
实现CPU稳压器应用的业界最高效能
--与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗—
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。
R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET（DrMOS）”封装标准（以下称作“DrMOS”）。它集成了一个驱动器IC和两个高端/低端开关电源MOSFET。R2J20602NP是瑞萨科技继第一代的R2J20601NP支后开发的第二代DrMOS标准兼容产品，也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。
R2J20602NP的特性总结如下。
（1）40A的最大输出电流
40A的最大输出电流——代表了业界的最高性能——采用瑞萨科技的高性能功率MOSFET技术、新开发的高辐射/低损耗封装，以及专为功率MOSFET性能而优化的高速驱动器IC。这些技术支持需要大电流的CPU、FPGA和存储器等电子元件。
（2）与当前的瑞萨产品相比，功率损耗降低20%以上
当工作在1MHz开关频率时，其大约为89%的最高效率实现了业界最高水平（Vin = 12V，Vout = 1.3V）。其输出电流为25A，功率损耗为4.4W——业界的最低水平——比瑞萨当前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于实现高效的电源配置，并抑制散热量，从而开发出一个节能的最终产品。
（3）小型封装与第一代产品引脚安排兼容
其封装与瑞萨当前的R2J20601NP引脚安排兼容。8
实现CPU稳压器应用的业界最高效能
--与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗—
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。
R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET（DrMOS）”封装标准（以下称作“DrMOS”）。它集成了一个驱动器IC和两个高端/低端开关电源MOSFET。R2J20602NP是瑞萨科技继第一代的R2J20601NP支后开发的第二代DrMOS标准兼容产品，也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。
R2J20602NP的特性总结如下。
（1）40A的最大输出电流
40A的最大输出电流——代表了业界的最高性能——采用瑞萨科技的高性能功率MOSFET技术、新开发的高辐射/低损耗封装，以及专为功率MOSFET性能而优化的高速驱动器IC。这些技术支持需要大电流的CPU、FPGA和存储器等电子元件。
（2）与当前的瑞萨产品相比，功率损耗降低20%以上
当工作在1MHz开关频率时，其大约为89%的最高效率实现了业界最高水平（Vin = 12V，Vout = 1.3V）。其输出电流为25A，功率损耗为4.4W——业界的最低水平——比瑞萨当前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于实现高效的电源配置，并抑制散热量，从而开发出一个节能的最终产品。
（3）小型封装与第一代产品引脚安排兼容
其封装与瑞萨当前的R2J20601NP引脚安排兼容。8
关键词： DrMOS MOSFET 单片机 电源技术 集成驱动器 模拟技术 嵌入式系统 瑞萨
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